بررسی تأثیر تابش لیزر بر خواص الکتریکی و ساختاری لایه های نازک zno
Authors
abstract
در این مقاله لایه نازک zno به روش سل ژل بر روی زیرلایه شیشه ساخته شده است. لایه های اولیه ابتدا در دمای 100 و ˚c 240 خشک و سپس در دماهای 300 ، 400 و ˚c 500 پخت شده اند. اندازه گیری مقاومت دو نقطه ای نشان می دهد که مقاومت الکتریکی لایه های آماده شده، بسیار زیاد است. تابش پرتو لیزر اگزایمر krf ( 248nm = λ ) با تعداد پالس 1000 ، فرکانس 1hz و انرژی 90mj/cm2 بر سطح لایه باعث کاهش مقاومت الکتریکی لایه می شود. طیف پراش پرتو ایکس ( xrd ) بهبود ساختار هگزاگونال ورتسایت لایه را تأیید می کند، و آنالیز afm و fe-sem شکل گیری منظم و دایروی دانه ها بر سطح لایه را نشان داد. اندازه ذرات بعد از تابش لیزر از 10nm ~ به 30nm ~ افزایش پیدا می کند. به طور کلی، نشان داده شده است که، ویژگی های ساختاری، الکتریکی و مورفولوژی لایه ها با تابش لیزر به طور قابل ملاحظه ای بهبود می یابد.
similar resources
بررسی تأثیر تابش لیزر بر خواص الکتریکی و ساختاری لایههای نازک ZnO
In this paper, ZnO thin film was prepared by sol-gel process on glass substrates. The deposited films were dried at 100 and 240 ˚C and then annealed at 300, 400 and 500 ˚C. The two-probe measurement showed that resistance of as-prepared films is very high. The KrF excimer (λ=248 nm) laser irradiation with 1000 pulses, frequency of 1 Hz and 90 mJ/cm2 energy on surface of film resulted in the re...
full textتاثیر آلایش fe و co بر خواص ساختاری و اپتیکی لایه های نازک zno
لایههای نازکzn0.97tm0.03o (tm = co, fe) روی زیر لایههای شیشهای با روش سل-ژل رشد داده شدند و اثرات جاینشانی فلزات واسطه بر روی خواص ساختاری و اپتیکی لایههای zno مورد بررسی قرار گرفت. طیفهای حاصل از پراش پرتو x از نمونهها نشان داد که تمام لایهها دارای ساختار ورتسایت میباشند. طیف تراگسیل نوری در بازه طول موجی 200-800 نانو متر برای نمونهها ثبت گردید و با استفاده از آن گاف نواری لایهها مح...
full textخواص الکتریکی وساختاری فیلم نازک احیاشده توسط لیزر اگزایمر تپی
فیلم نازک احیاء شده اکسید تیتانیم
full textبررسی اثر فوتورسانش با لیزر اگزایمر و تحولات ساختاری، اپتیکی و شیمیایی در لایههای نازک ZnO
در این پژوهش لایههای نازک اکسید روی آلائیده با آلومینیوم به غلظت‌های 0، 3، 6 و 12 درصد مولی آلومینیوم به روش سل ژل بر روی زیرلایه شیشه ساخته شد. لایههای آماده شده در دماهای °C500-300 به مدت یک ساعت در هوا پخت شدند. پراش پرتو ایکس (XRD) ساختار بلوری ورتسایت هگزاگونال برای لایههای بازپخت شده در دمای بالاتر از °C 400 نشان داد. سپس لایهها تحت تابش پرتو لیزر (nm 248 = λ، KrF) قرار گرفتند. تحول س...
full textتأثیر دمای آنیل بر خواص ساختاری و مغناطیسی لایه نازک نئودمیوم آهن بور
In the present research NdFeB thin films coupled with buffer and capping layer of W were formed on Si/SiO2 substrate by means of RF magnetron sputtering. The system was annealed at vaccum at different temperatures of 450, 500, 550,. 600 and 650 °C Phase analysis was carried out by XRD and it was found that NdFeB was formed without the formation of any kind of secondary phase. The cross...
full textMy Resources
Save resource for easier access later
Journal title:
پژوهش فیزیک ایرانجلد ۱۲، شماره ۴، صفحات ۳۲۳-۳۳۰
Keywords
Hosted on Doprax cloud platform doprax.com
copyright © 2015-2023